IEC 63284:2022
Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
| Fecha edición: |
2022-04-21
En Vigor
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| Idiomas disponibles: | Inglés, Francés |
| Resumen: | IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress L'IEC 63284:2022 couvre le protocole d'exécution d'une procédure de contrainte et une méthode d'essai correspondante, en vue d'évaluer la fiabilité des transistors de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) par la commutation sur charge inductive, en particulier la contrainte de commutation dure. |
| ICS: | 31.080.30 - Transistores |
| CTN: | TC 47 - 1251 |
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Otras Relaciones |
Acuerdo de Frankfurt prEN IEC 63284:2021 |










