IEC 62047-16:2015
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
| Edition date: |
2015-03-05
In Force
|
|---|---|
| Available languages: | English, French |
| Summary: | IEC 62047-16:2015 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 μ to 10 μ in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods. L'IEC 62047-16:2015 définit les méthodes d'essai permettant de mesurer les contraintes résiduelles des films dont l'épaisseur se situe dans la plage de 0,01 μ à 10 μ dans des structures fabriquées de microsystèmes électromécaniques (MEMS) au moyen des méthodes de la courbure de la plaquette ou de déviation de poutre en porte-à-faux. |
| ICS: | 31.080.99-Other semiconductor devices |
| CTN: | TC 47/SC 47F - 1449 |
|
Otras Relaciones |
Acuerdo de Frankfurt FprEN 62047-16:2014 |










