IEC 60749-18:2019
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 18: Ionizing radiation (total dose)
| Edition date: |
2019-04-10
In Force
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| Available languages: | English, French |
| Summary: | IEC 60749-18:2019 provides a test procedure for defining requirements for testing packaged semiconductor integrated circuits and discrete semiconductor devices for ionizing radiation (total dose) effects from a cobalt-60 (60Co) gamma ray source. Other suitable radiation sources can be used. This document addresses only steady-state irradiations, and is not applicable to pulse type irradiations. It is intended for military- and aerospace-related applications. It is a destructive test. This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: - updates to subclauses to better align the test method with MIL-STD 883J, method 1019, including the use of enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) testing; - addition of a Bibliography, which includes ASTM standards relevant to this test method. L’IEC 60749-18:2019 présente une procédure d’essai permettant de définir les exigences pour soumettre à essai des circuits intégrés à semiconducteurs sous boîtier et des dispositifs discrets à semiconducteurs, concernant les effets des rayonnements ionisants (dose totale) provenant d’une source de rayons gamma au cobalt-60 (60Co). D’autres sources de rayonnements appropriées peuvent être utilisées. Le présent document ne concerne que les irradiations continues et ne s’applique pas aux irradiations pulsées. Il est destiné aux applications des domaines militaire et aérospatial. Il s’agit d’un essai destructif. Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l’édition précédente: - mises à jour apportées aux paragraphes afin de mieux aligner la méthode d’essai avec la méthode 1019 du document MIL-STD 883J, comprenant l’utilisation de l’essai de sensibilité accrue au faible débit de dose (ELDRS); - ajout d’une bibliographie, comprenant les normes ASTM correspondant à la présente méthode d’essai. |
| ICS: | 31.080.01-Semiconductor devices in general |
| CTN: | TC 47 - 1251 |
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Standards Cancellations |
Anula a IEC 60749-18:2002 |
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Otras Relaciones |
Acuerdo de Frankfurt FprEN IEC 60749-18:2019 |










