UNE-EN 62415:2010
Dispositivos de semiconductores. Ensayo de electromigración de intensidad constante. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
| Fecha edición: |
2010-09-01
En Vigor
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| Fecha de ratificación: | 2010-09-01 |
| Idiomas disponibles: | Inglés |
| ICS: | 31.080.01 - Dispositivos semiconductores en general |
| CTN: | CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores |
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Equivalencia Internacional |
Idéntica IEC 62415:2010 Idéntica EN 62415:2010 |










