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DIN EN 60749-23:2004-10
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life (IEC 60749-23:2004); German version EN 60749-23:2004 / Note: A transition period, as set out in DIN EN 60749-23 (2011-07), exists until 2014-03-03.
| Fecha edición: |
2011-07-01
Anulada
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|---|---|
| Fecha cancelación: | 2011-07-01 |
| Idiomas disponibles: | Alemán |
| Resumen: | This test is used to determine the effects of bias conditions and temperature on solid state devices over time. It simulates the device operating condition in an accelerated way, and is primarily used for device qualification and reliability monitoring. A form of high temperature bias life using a short duration, popularly known as "burn-in", may be used to screen for infant mortality related failures. The detailed use and application of burn-in is outside the scope of this standard. Dieses Prüfverfahren wird zum Ermitteln zeitbezogener Auswirkungen auf Halbleiterbauelemente verwendet, wenn diese sowohl mit elektrischer Spannung als auch Wärme beansprucht werden. Es simuliert das Betriebsverhalten der Bauelemente in einer beschleunigenden Art und Weise und wird deshalb primär für die Bauelementequalifikation sowie das Zuverlässigkeitsmonitoring angewandt. Eine Form der Lebensdauer-Prüfung, bei der die betriebsspezifische Spannungs- als auch Wärme-Beanspruchung über eine kurze Dauer ausgeübt wird, allgemein bekannt als Burn-in (Voralterung), darf zum Screening von Frühausfällen genutzt werden. Die detaillierte Anwendung und Durchführung des Burn-in liegen außerhalb des Anwendungsbereiches dieser Norm. |
| Keywords: | Bond strength|Climate|Climatic tests|Components|Defects|Definitions|Electrical engineering|Electrical measurement|Electronic engineering|Electronic equipment and components|Environmental testing|Environmental tests|High-temperature testing|Integrated circuits|Life (durability)|Life test|Mechanical testing|Moisture test|Performance in service|Prestress|Quality assurance|Semiconductor devices|Semiconductors|Simulation|Stress time|Temperature test|Testing|Thermal stress|Voltage |
| ICS: | 31.080.01 - Dispositivos semiconductores en general |
| CTN: | |
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Equivalencia Internacional |
Idéntica EN 60749-23:2004/A1:2011 Idéntica IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV |
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Reemplazo Normas |
Reemplaza a DIN IEC 60749-23:2002-10 Es reemplazada por DIN EN 60749-23:2011-07 |










