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DIN 50438-1:1995-07
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in silicon by infrared absorption - Part 1: Oxygen
| Fecha edición: |
2009-01-01
Anulada
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|---|---|
| Fecha cancelación: | 2009-01-01 |
| Idiomas disponibles: | Inglés, Alemán |
| Resumen: | This document specifies two methods for the non-destructive determination of the oxygen content in silicon by infrared absorption. Das Dokument legt zwei Verfahren zur zerstörungsfreien Bestimmung des Sauerstoffgehaltes in Silicium mittels Infrarot-Absorption fest. |
| Keywords: | Chemical analysis and testing|Definitions|Determination of content|Electrical measurement|Impurities|Infrared absorption|Infrared spectrometry|Materials|Materials testing|Measuring techniques|Non-destructive testing|Oxygen|Semiconductor devices|Semiconductor engineering|Semiconductor technology|Semiconductors|Silicon|Testing |
| ICS: | 29.045 - Materiales semiconductores |
| CTN: | |
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Reemplazo Normas |
Reemplaza a DIN 50438-1:1994-09 |










