Especificación marco de detalle: Transistor de efecto de campo (FET) de puerta simple. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)
BDS: SINGLE GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS. (Endorsed by AENOR in November of 1996.)
31.080.30 / Transistores
CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores
EN 150012:1991 (Idéntico)
Formato físico y digital
Nota: Precios sin IVA ni gastos de envío
Descuentos no acumulables
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