Resumen:
This document describes a test method, test structure and lifetime estimation method of the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers applied in semiconductor devices.
Dieses Dokument legt ein Prüfverfahren, eine Teststruktur und ein Verfahren zum Abschätzen der Bauelemente-Lebensdauer bei Prüfbeanspruchungen gegen den zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB; en: time dependent dielectric breakdown) für in Halbleiterbauelementen verwendete Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen fest.
Keywords:
Checking equipment, Components, Definitions, Dielectric, Dielectric breakdown, Electrical engineering, Electronic equipment and components, Enclosures, Failure, Gates, Heating chamber, Layers, Life (durability), Semiconductor devices, Stress, Testing, Testing devices, Time-dependent, Voltage, Voltage stress