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Normas DIN – AENOR
DIN EN 62047-9:2012-03

DIN EN 62047-9:2012-03

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS (IEC 62047-9:2011); German version EN 62047-9:2011

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 9: Mesure de la résistance de collage de deux plaquettes pour les MEMS (CEI 62047-9:2011); Version allemande EN 62047-9:2011

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS) (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011

Fecha:
2012-03 /Active
Idiomas Disponibles:
Alemán
Equivalencias internacionales:

EN 62047-9 (2011-08)

IEC 62047-9 (2011-07)

Relación con otras normas DIN:
Resumen:
This standard describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 ?m to several millimeters.
Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) usw. sowie anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses bzw. der Assemblierung fest. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 µm bis einigen Millimetern.
Keywords:
Bonding, Components, Compounds, Compression, Connections, Electrical engineering, Electronic equipment and components, Intermediate layers, Materials, Measurement, Measuring techniques, Microelectronics, Microsystem techniques, Properties, Semiconductor devices, Specification (approval), Strength of materials, Surface treatment, Symbols, System engineering, Testing, Visual inspection (testing), Wafers
97,01
Idioma Formato

Formato digital

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