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Normas DIN – AENOR
DIN EN 62047-29:2016-08

DIN EN 62047-29:2016-08

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 29: Electromechanical relaxation test method for freestanding conductive thin-films under room temperature (IEC 47F/243/CD:2016) / Note: Date of issue 2016-07-22

/ Attention: Date de parution 2016-07-22

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 29: Elektromechanisches Relaxations-Prüfverfahren für freistehende elektrisch leitende Dünnschichten bei Raumtemperatur (IEC 47F/243/CD:2016) / Achtung: Erscheinungsdatum 2016-07-22

Fecha Anulación:
2018-09 /Withdrawn
Idiomas Disponibles:
Bilingüe
Equivalencias internacionales:

IEC 47F/243/CD (2016-03)

Resumen:
This part of IEC 62047 specifies a relaxation test method for measuring electromechanical properties of freestanding conductive thin-films for micro-electromechanical systems (MEMS) under controlled strain and room temperature. Freestanding thin-films of conductive materials are extensively utilized in MEMS, opto-electronics, and flexible/wearable electronics products. Freestanding thin-films in the products experience external and internal stresses which could be relaxed even under room temperature during a period of operation, and this relaxation leads to time-dependent variation of electrical performances of the products. This test method is valid for isotropic, homogeneous, and linearly viscoelastic materials.
In diesem Teil der IEC 62047 ist ein Relaxations-Prüfverfahren festgelegt, um mit dessen Hilfe die elektromechanischen Eigenschaften von freistehenden elektrisch leitenden Dünnschichten in Mikrosystem-Bauelementen (MEMS; en: micro-electromechanical systems) unter geregelten Dehnungsbeanspruchungen bei Raumtemperatur zu ermitteln. Freistehende Dünnschichten aus leitfähigen Werkstoffen werden häufig in MEMS-Bauelementen sowie in optoelektronischen und flexiblen/tragbaren Erzeugnissen verwendet. Freistehende Dünnschichten in den Erzeugnissen unterliegen äußeren wie inneren mechanischen Spannungsbeanspruchungen, die selbst bei Raumtemperatur während einer Betriebsperiode nachlassen (Relaxation), wobei diese Relaxation zu zeitabhängigen Veränderungen des elektrischen Funktionsverhaltens der Erzeugnisse führt. Dieses Prüfverfahren ist für isotrope, homogene und linear viskoelastische Werkstoffe anwendbar.
Keywords:
Ambient temperatures, Base materials, Components, Conductive, Definitions, Dimensions, Electrical engineering, Electromechanics, Materials, Measurement, Measuring techniques, Mechanical properties, Microelectronics, Microsystem techniques, Properties, Relaxation, Samples, Semiconductor devices, Substrates (coating), System engineering, Temperature, Tensile testing, Testing, Testing conditions, Testing system, Thin films, Thin-film devices, Thin-film technology
60,93
Idioma Formato

Formato digital

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