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Normas DIN – AENOR
DIN EN 62047-26:2014-05

DIN EN 62047-26:2014-05

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures (IEC 47F/178/CD:2013) / Note: Date of issue 2014-04-18

/ Attention: Date de parution 2014-04-18

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 26: Beschreibung und Messverfahren für Mikro-Rillen und Nadelstrukturen (IEC 47F/178/CD:2013) / Achtung: Erscheinungsdatum 2014-04-18

Fecha Anulación:
2016-12 /Withdrawn
Idiomas Disponibles:
Bilingüe
Equivalencias internacionales:

IEC 47F/178/CD (2013-11)

Relación con otras normas DIN:

Es reemplazada por: DIN EN 62047-26 (2016-12)

Resumen:
This part of IEC 62047 specifies terms and definition, description of trench structure and needle structure in a micrometer scale. In addition, it provides examples of measurement for the geometry of both structures. For trench structures, this standard applies to structures with a depth of 1 µm to 100 µm; walls and trenches with respective widths of 5 µm to 150 µm; and aspect ratio of 0,0067 to 20. For needle structures, the standard applies to structures with a height, horizontal width and vertical width of 2 µm or larger, and with dimensions that fit inside a cube with sides of 100 µm. This standard is applicable to the structural design of MEMS and geometrical evaluation after MEMS processes.
Dieser Teil der IEC 62047 legt Begriffe sowie die Beschreibung von Rillen- und Nadelstrukturen im Mikrometerbereich fest. Zusätzlich werden Beispiele für die Messung der geometrischen Merkmale für beide Strukturen gegeben. Diese Norm ist für Rillenstrukturen mit einer Tiefe von 1 µm bis 100 µm sowie für Rillen/Steg-Strukturen mit Breiten von jeweils 5 µm bis 150 µm und einem Aspektverhältnis von 0,0067 bis 20 anwendbar. Die Norm ist für Nadelstrukturen mit einer Höhe, horizontalen und vertikalen Breite von 2 µm oder mehr sowie Abmessungen, die in einen Würfel mit 100 µm Kantenlänge passen, anwendbar. Diese Norm ist sowohl für den strukturell-konstruktiven Entwurf von MEMS-Bauteilen als auch für die Beurteilung der geometrischen Merkmale nach dem MEMS-Fertigungsprozess anwendbar.
Keywords:
Base materials, Definitions, Descriptions, Dimensions, Electrical engineering, Materials, Measurement, Measuring techniques, Microelectronics, Microstructure, Microsystem techniques, Semiconductor devices, System engineering, Testing, Thin films, Thin-film devices, Thin-film technology
101,68
Idioma Formato

Formato digital

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