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Normas DIN – AENOR
DIN EN 62047-11:2014-04

DIN EN 62047-11:2014-04

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 11: Test method for coefficients of linear thermal expansion of free-standing materials for micro-electromechanical systems (IEC 62047-11:2013); German version EN 62047-11:2013

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 11: Méthode d'essai pour les coefficients de dilatation thermique linéaire des matériaux autonomes pour systèmes microélectromécaniques (CEI 62047-11:2013); Version allemande EN 62047-11:2013

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 11: Prüfverfahren für lineare thermische Ausdehnungskoeffizienten für freistehende Werkstoffe der Mikrosystemtechnik (IEC 62047-11:2013); Deutsche Fassung EN 62047-11:2013

Fecha:
2014-04 /Active
Idiomas Disponibles:
Alemán
Equivalencias internacionales:

EN 62047-11 (2013-09)

IEC 62047-11 (2013-07)

Relación con otras normas DIN:
Resumen:
This part of IEC 62047 specifies the test method to measure the linear thermal expansion coefficients (CLTE) of thin free-standing solid (metallic, ceramic, polymeric etc.) micro-electro-mechanical system (MEMS) materials with length between 0,1 mm and 1 mm and width between 10 µm and 1 mm and thickness between 0,1 µm and 1 mm, which are main structural materials used for MEMS, micromachines and others. This test method is applicable for the CLTE measurement in the temperature range from room temperature to 30 % of a material´s melting temperature.
Dieser Teil von IEC 62047 legt das Verfahren fest zum Messen des linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CLTE; en: coefficient of linear thermal expansion) von dünnen, freistehenden festen (metallischen, keramischen, polymeren usw.) Werkstoffen der Mikrosystemtechnik (MEMS; en: micro-electro-mechanical systems) mit Längen zwischen 0,1 mm und 1 mm, Breiten zwischen 10 µm und 1 mm und Dicken zwischen 0,1 µm und 1 mm, die als Hauptbestandteile für MEMS, Mikrobauteile und andere verwendet werden. Dieses Prüfverfahren ist zur Messung des CLTE im Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 30 % der Schmelztemperatur des Werkstoffs geeignet.
Keywords:
Coefficient of extension, Electrical engineering, Materials, Microelectronics, Microsystem techniques, Samples, Semiconductor devices, System engineering, Tensile strain, Tensile testing, Testing, Testing devices, Testing system, Thermal expansion, Thermal expansion coefficient, Thin films, Thin-film devices, Thin-film technology
91,87
Idioma Formato

Formato digital

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