UNE-EN 62415:2010
Dispositivos de semiconductores. Ensayo de electromigración de intensidad constante. (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
| Edition date: |
2010-09-01
In Force
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|---|---|
| Ratification date: | 2010-09-01 |
| Available languages: | English |
| ICS: | 31.080.01-Semiconductor devices in general |
| CTN: | CTN 209/SC 47 - Dispositivos de semiconductores |
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International Equivalence |
Identic IEC 62415:2010 Identic EN 62415:2010 |










